Новые технологии - обзор жёстких дисков и накопителей

Аватара пользователя

borka
Старожил
Сообщения: 1934
Зарегистрирован: Март 2010
Репутация: 65
Пол: Мужской
Откуда: Ukraine Independent
Благодарил (а): 407 раз
Поблагодарили: 681 раз

Re: Новые технологии - обзор жёстких дисков и накопителей

#31

Сообщение borka » 26 дек 2011, 18:57

Наборы памяти Kingston HyperX Genesis DDR3 под Sandy Bridge-E
Изображение
Ну вот, принимайте свеженькие оперативки с четырёхканальной архитектурой от Kingston Technology, которые вы добропорядочно будете юзать на чипсте Intel X79 Express вместе с процессорами серии Sandy Bridge-E от Intel…Ээээх! Аж завидно! Ладно, не будем о грустном.
Так вот, разработчики представляют нашему вниманию десять типов божественной памяти из серии HyperX Genesis Series, оснащённые сексуальными и конечно эффективными радиаторами, вобщем гляньте сами.Изображение
Изображение
Причём с пожизненной гарантией Изображение
Изображение


жЫть - хорошо, но Хорошо жЫть - лучше!
Изображение
Изображение
Изображение

Аватара пользователя

borka
Старожил
Сообщения: 1934
Зарегистрирован: Март 2010
Репутация: 65
Пол: Мужской
Откуда: Ukraine Independent
Благодарил (а): 407 раз
Поблагодарили: 681 раз

Re: Новые технологии - обзор жёстких дисков и накопителей

#32

Сообщение borka » 27 дек 2011, 19:30

Seagate обещает тяжелые времена до конца 2012 года
Изображение
Горе всем тем, чей винчестер скрипит, разогревается, шумит, одним словом, придаёт признаки неизбежной гибели, ибо бог морей и океанов, сам Посейдон, наслал бедствие на одно из божественных пристанищ Seagate. Божественный гнев обошёлся Seagate-у потерей многих винчестеров, которые нашли своё вечное пристанище в холодных и мрачных глубинах водного царства, мужайтесь юзеры.

Ну а теперь серьёзно, аналитическая компания Digitimes сообщила, что Seagate снизил прогноз поставок "двухстволок" на четвёртый квартал этого года от 41 до 45 млн единиц, что на 10-18% ниже ожидаемых результатов. Такое нешуточное падение показателей производства/поставок обусловлено тем что Посейдон всё таки пошалил в Таиланде, устроив небольшое наводнение, что и затруднило работу заводов Seagate (мягко говоря) находящихся в Таиланде. Однако вскоре Seagate Technology Taiwan также сообщила, что выше указанные заводы снова приступили к работе, но объемы отгрузки HDD заметно ниже прежних из-за проблем с обеспечением компонентами, которые поставляют для нее около 130 подрядчиков.

По мнению аналитиков Seagate, общие поставки "двухcтволок" в четвёртом квартале этого года не превысят 110-120 млн штук, что достаточно дорого обойдётся Seagate и нам в том числе, учитывая то, что потребность рынка составляет 180 млн. Последствия наводнения будут сказываться еще долго, так утверждает Seagate, может он и пользуется случаем чтобы набивать цены в дальнейшем, таким образом он сможет не только возместить убытки, но и проапгрейдить себе "карму корабля" ;) . Да и в интервью ресурсу Bloomberg исполнительный директор компании Стивен Луцзо высказал мнение, что "на круги своя" отрасль вернется, в лучшем случае, к концу 2012 года.
жЫть - хорошо, но Хорошо жЫть - лучше!
Изображение
Изображение
Изображение

Аватара пользователя

borka
Старожил
Сообщения: 1934
Зарегистрирован: Март 2010
Репутация: 65
Пол: Мужской
Откуда: Ukraine Independent
Благодарил (а): 407 раз
Поблагодарили: 681 раз

Re: Новые технологии - обзор жёстких дисков и накопителей

#33

Сообщение borka » 06 фев 2012, 15:56

Сможет ли MRAM заменить DRAM?
Изображение
Сегодня магниторезистивная память уже применяется в гоночных автомобилях, самолетах, системах хранения и сетевом оборудовании
Магниторезистивная оперативная память (Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM) — это новый вид энергонезависимой памяти, обещающий со временем заменить динамическую. Магнитная память постепенно появляется в различных изделиях, но аналитики полагают, что DRAM будет вытеснена еще не скоро.
Руководители компании Everspin объявили, что выпускаемая ею MRAM начинает применяться в изделиях, которым требуется надежная и быстрая энергонезависимая память, способная сохранять данные при сбоях питания.

Магниторезистивная память разрабатывается уже несколько десятков лет. В прошлом году компании Toshiba и Hynix пообещали разработать варианты MRAM, со временем способные заменить DRAM и флэш-память NAND. В отличие от динамической памяти, где биты хранятся в виде заряда конденсатора, в MRAM для хранения данных используются магнитные свойства вещества. Однако эксперты считают, что из-за слишком высокой стоимости и ограниченной плотности магнитной памяти в краткосрочной перспективе ей суждено оставаться на специализированных рынках.

MRAM-модули Everspin применяются в системах хранения и сетевом оборудовании компании Dell, которой требовалась быстрая и надежная энергонезависимая память, способная сохранять данные в случае отказа питания, — сообщает директор Everspin Фил Лопрести. Выпускаемая компанией память также используется в гоночных автомобилях BMW, компьютерах управления полетом лайнеров Airbus 320 и промышленных системах автоматизации Siemens.
«Уверенность в надежности MRAM растет, осталось построить рыночную экосистему для нашей продукции, над чем мы и работаем сейчас, — заявляет Лопрести. — Everspin на сегодня — единственная компания, поставляющая MRAM на коммерческой основе».
MRAM хорошо подходит для замены традиционной памяти в некоторых системах хранения и сетевых устройствах, для которых плотность памяти — не главное, — полагает главный аналитик IHS iSuppli Майк Говард. Например, MRAM применяется как альтернатива энергозависимым статической оперативной памяти в оборудовании Dell.

Сейчас MRAM поставляется в небольших объемах, а популярность наберет, вероятно, лишь после того, как развитие DRAM натолкнется на фундаментальный барьер, — считает аналитик. В развитие DRAM вкладывается масса средств, у которой перед MRAM есть еще и преимущество по цене.
MRAM — перспективная технология, так как пределы роста компактности у магнитной памяти больше, чем у DRAM и флэш-памяти NAND, — считает аналитик Objective Analysis Джим Хэнди. «DRAM и NAND имеют ограничения по масштабированию, поскольку с уменьшением геометрии чипа остается меньше места для электронов, — объясняет он.- MRAM же более сжимаема, так как не полагается электроны».

Существуют и другие виды памяти, например, память на фазовых состояниях (phase-change memory, PCM). Ее разрабатывают Samsung и Micron Technology с планами на вытеснение DRAM и NAND. Однако если магнитная память и потеснит DRAM, то это произойдет лишь к концу нынешнего десятилетия, считает Хэнди.
Признавая, что обычно проходит немало времени, прежде чем новый вид памяти завоевывает рынок, Everspin сохраняет ориентацию на крупных промышленных заказчиков. Компания также предлагает MRAM для применения в твердотельных накопителях, сообщает Лопрести: «Флэш-память NAND могла бы работать быстрее при наличии еще одного уровня кэша на основе MRAM».

В компании заявляют, что у нее более 300 заказчиков, и что за прошлый год она получила более 250 патентов на конструкторские разработки в области MRAM.
жЫть - хорошо, но Хорошо жЫть - лучше!
Изображение
Изображение
Изображение

Аватара пользователя

borka
Старожил
Сообщения: 1934
Зарегистрирован: Март 2010
Репутация: 65
Пол: Мужской
Откуда: Ukraine Independent
Благодарил (а): 407 раз
Поблагодарили: 681 раз

Re: Новые технологии - обзор жёстких дисков и накопителей

#34

Сообщение borka » 07 фев 2012, 20:47

Четырехканальные модули памяти KINGMAX DDR3 2200МГц
KINGMAX представляет новые четырехканальные модули памяти DDR3 2200МГц из серии Nano Gaming RAM. Данная модель не только поддерживает новый чипсет Intel X79, но и работает в четыре раза быстрее, чем одноканальные продукты.
Изображение
Новая серия памяти призвана обеспечить максимальную производительность на платформе X79. В серию входят модули памяти с частотой 1333, 1600, 2000 и 2200 МГц. Данная серия также обеспечивает максимальную скорость и стабильность работы в системе с процессором Intel Core™ i7-3930K.

В модулях KINGMAX DDR3 используются микросхемы высочайшего качества, гарантирующие 100%-ую совместимость с другими устройствами и поддерживающие Intel XMP (Extreme Memory Profiles) для автоматического разгона. Эксклюзивная технология KINGMAX TinyBGATM позволяет создавать маленькие, быстро охлаждаемые, экономичные микросхемы. Поэтому даже дети с легкостью смогут покорить процесс разгона.

При производстве памяти KINGMAX DDR3 2200МГц не используется свинец. Все продукты соответствуют требованиям RoHS и имеют сертификаты CE и Intel XMP. Продукты KINGMAX имеют полноценную гарантию.

Особенности серии четырехканальных модулей памяти KINGMAX DDR3 1333/1600/2000/2200 МГц:

- Совместимость со всеми четырехканальными платформами DDR3
- Поддержка чипсета Intel X79
- Бессвинцовый процесс производства
- Технология TinyBGATM обеспечивает малый размер чипов, быстрое охлаждение, малое потребление энергии, большую емкость и низкие помехи
- Широкая совместимость и стабильность
- Сертификаты RoHs и CE

Спецификации:
- 240-pin DDR3 1333МГц / 1600МГц / 2000МГц / 2200МГц
- CAS-латентность:
- 1333МГц:CL=9
- 1600МГц:CL=9
- 2000МГц:CL=9
- 2200МГц:CL=10

- Полоса пропускания
- 1333МГц (10.6ГБ/с)
- 1600МГц (12.8ГБ/с)
- 2000МГц (16.0ГБ/с)
- 2200МГц (17.6ГБ/с)

- Емкость: четыре канала– 4ГБ/8ГБ/16ГБ
- Напряжение: 1.5~1.6 В
- Пожизненная гарантия
жЫть - хорошо, но Хорошо жЫть - лучше!
Изображение
Изображение
Изображение

Аватара пользователя

borka
Старожил
Сообщения: 1934
Зарегистрирован: Март 2010
Репутация: 65
Пол: Мужской
Откуда: Ukraine Independent
Благодарил (а): 407 раз
Поблагодарили: 681 раз

Re: Новые технологии - обзор жёстких дисков и накопителей

#35

Сообщение borka » 30 июн 2012, 18:33

Ускорение SSD

Группа ученых из японского университета Чуо (Chuo University) под руководством профессора Кена Такеучи (Ken Takeuchi) на симпозиуме VLSI Circuit, прошедшем на Гавайях, объявила о создании нового типа SSD-накопителей.

По характеристикам скорости чтения и записи информации они в среднем в 11 раз обгоняют распространенные сейчас твердотельные носители, потребляют на 93% меньше электроэнергии и, кроме того, имеют всемеро больший срок службы.

Достичь таких результатов удалось благодаря гибридной архитектуре с применением чипов, созданных по технологии ReRam (Resistive Random-access Memory, резистивная оперативная память). В представленном образце установлено 256 Гбайт Nand Flash и 1 Гбайт памяти типа ReRam, которая используется в качестве «быстрой», износоустойчивой флэш-памяти для записи и чтения небольших блоков данных (High-speed Random Access). Также благодаря ReRam информация в Nand-блоках фрагментируется гораздо медленнее, одновременно снижается и степень износа ячеек.

В результате нули и единицы гораздо чаще (примерно в 30 раз) записываются именно в модули ReRam. Время доступа приложений к данным на таком SSD-диске составляет всего несколько микросекунд. Однако, по словам руководителя проекта, достигнутые показатели пока еще далеки от плановых. В первую очередь это относится к высокой (на текущий момент) стоимости изделия.
жЫть - хорошо, но Хорошо жЫть - лучше!
Изображение
Изображение
Изображение


Вернуться в «Архив»

Кто сейчас на конференции

Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и 5 гостей